主要规格及技术指标

二次电子分辨率：1.2nm@1kV, 0.7nm@15kV（镜筒内减速）；放大倍率：12~2,000,000倍；加速电压：20V~30kV；无交叉光路设计；镜筒内正光轴上环形二次电子探测器。

主要功能及特色

采用先进的高分辨率成像和分析技术，使用非浸没式物镜技术即可实现1kV以下的亚纳米分辨率。为材料科学、生命科学和工业测试提供至臻的功能性，可以进行高性能实验，在低电压条件下仍然能提供出色分辨率，在高探针电流条件下提供快速成像。它能同时进行Inlens二次电子成像和背散射电子成像，并收集高分辨率、表面和复合成分信息，在较低真空条件下对绝缘样品仍能进行Inlens成像。

主要附件及配置

EDS